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2026-01-15 22:41:59
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据介绍,在半导体器件中,不同材料层间的界面质量直接决定了整体性能。特别是在以氮化镓为代表的第三代半导体和以氧化镓为代表的第四代半导体中,一个关键挑战在于如何将它们高效、可靠地集成在一起。传统方法使用氮化铝作为中间的“粘合层”,但“粘合层”在生长时,会自发形成无数不规则且凹凸不平的“岛屿”。“这就像在凹凸不平的堤坝上修建水渠。”周弘解释道,“‘岛状’结构表面崎岖,导致热量在界面传递时阻力极大,形成‘热堵点’。”热量散不出去,就会在芯片内部累积,最终导致性能下降甚至器件烧毁。这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来,一直未能彻底解决,成为制约射频芯片功率提升的最大瓶颈。
